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IRF7329 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠(chǎng)商：批號(hào)：封裝：

IRF7329PBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 9.2A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7329TR詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 9.2A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7329TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 9.2A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7329TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 9.2A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7329TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 9.2A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

• ECJ-3YB1E475K

  陶瓷    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206

• IXBOD1-06

  TVS - 其它復(fù)合    IXYS    徑向    IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP

• LM4051BEM3-1.2+T

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Maxim Integrated    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23

• IRF7324D1TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC

• KPSE02E16-26S

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS

• K471K10X7RH53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL

• IRF8327STRPBF

  其它    International Rectifier        MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

• KPT06E18-32SW

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT

• LM4051BEM3-ADJ/NOPB

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3

• ECJ-3YB1E475M

  陶瓷    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 25V 20% X5R 1206

• KPSE02E16-26SA206

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS

• K471K10X7RH5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL

• IRF840LCS

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

• KPT06E18-32SY

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT

• LM4051BIM3-1.2

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments        IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23