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IRF7341PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7341QTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7341QTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7341TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7341TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7341TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

PAT0603E3830BST1
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 383 OHM 0.15W 0.1% 0603
OSTET070252
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 7PS 7.62MM
IRF7331TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
OVP-24G
配件 Power-One OVP MODULE CASE SIZES E,F+DATA
OSTHC12B080
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 12POS 2.5MM
OD2510-12LSS
風(fēng)扇 - DC Orion Fans TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 FAN 25X10MM 12V
OMI-SS-224L,500
功率，高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 24V
PAT0603E3831BST1
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 3.83K OHM 0.15W 0.1% 0603
OSTH402705B
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 2PS 5MM
OD274J
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 270K OHM .25W CARB COMP
OSTHC14B080
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 14POS 2.5MM
OMIT-SS-124LM,300
功率，高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 24V
OVP-24G
配件 Power-One OVP MODULE CASE SIZES E,F+DATA
OSTH404705B
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 4PS 5MM
PAT0603E3882BST1
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 38.8K OHM 0.15W 0.1% 0603

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