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IRF7343PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7343QTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7343QTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7343TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7343TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7343TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A，3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

FQ7050B-10
晶體 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 10.0 MHZ 20PF SMD
HFBR-RUD100
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 100M
IRF7343TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC
IRLR3715ZTRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
JR25WR-8P(71)
連接器，互連器件 Hirose Electric Co Ltd CONN RCPT WATERPROOF 8POS MALE
CY7C199C-20VXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 28-BSOJ IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ
FWP-500A
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 圓柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 500A 700V HS BOLT-ON
FQ7050B-11.0592
晶體 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 11.0592 MHZ 20PF SMD
HFBR-RUD100
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 100M
IRLR3717TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
CY7C199CN-12VXI
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 28-BSOJ IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ
FWP-50A
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 螺栓安裝 FUSE 50A 700V FAST
HFBR-RUD100Z
光纖 Avago Technologies US Inc. FIBER OPTIC CBL DUPLEX 1=100M
IRLR7821TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
JR4N1-CL1-1F
同軸，RF Digi International CABLE RPSMA MALE TO N-MALE 1FT

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