IRF7389 全國供應商、價格、PDF資料

IRF7389詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7389PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7389TR詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7389TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7389TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7389TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

• HBC18DRAH

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD

• HCNW137-000E

  光隔離器 - 邏輯輸出    Avago Technologies US Inc.    8-DIP（0.400"，10.16mm）    OPTOCPLR LOG-OUT 10MBD 8DIP WIDE

• HBZ471KBBCF0KR

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 470PF 2KV 10% RADIAL

• IRF7353D2PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

• IRF8302MTR1PBF

  其它    International Rectifier        MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

• DTS26F9-35BB

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT

• E39-RSB-44

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        REFLECTOR ADHESV TAPE

• H3BBT-10112-L8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3048L/H1504TR12"

• HBZ471MBBCF0KR

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 470PF 2KV 20% RADIAL

• IRF8302MTR1PBF

  其它    International Rectifier        MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

• E39-RSP1

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        REFLECTIVE TAPE FOR E3ZM/B

• DTS26F9-35BD

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT

• H3BBT-10112-V6-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3049V/H1504TR12"

• HCNW139#500

  光隔離器 - 晶體管，光電輸出    Avago Technologies US Inc.    8-SMD，鷗翼型    OPTOCOUPLER 1CH 100KBD 8-SMD+G62

• IRF740

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB