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IRF7404PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 3.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7404QTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 3.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7404QTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 3.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7404TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 3.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7404TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 3.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7404TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 3.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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