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IRF7433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 8.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7433PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 8.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7433TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 8.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7433TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 8.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7433TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 8.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7433TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 8.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

E39-S53
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT APERTURE PHOTO ACCESSORY
HCP0703-R15-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 0.15UH
IRF7433TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
IRF8788TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
H3BXG-10103-N6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3049N/X 3"
HFW16R-2STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 徑向，圓盤 CONN FPC/FFC 16POS 1MM R/A SMD
E39-S53
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT APERTURE PHOTO ACCESSORY
ISC1210ERR10K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 100NH 10% 1210
HCP0703-R68-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 0.68UH
HFW16R-2STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 徑向，圓盤 CONN FPC/FFC 16POS 1MM R/A SMD
H3BXG-10103-N8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048N/X 3"
ISL6217ACVZA-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CTRLR PWM INTEL PENT 38-TSSOP
ISC1210ERR15M
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 150NH 20% 1210
HCP0703-R68-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 0.68UH
IRF744
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB

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