IRF7450 全國供應商、價格、PDF資料

IRF7450詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7450PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7450TR詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7450TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7450TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7450TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

• IMC0805ER82NJ

  固定式    Vishay Dale    0805（2012 公制）    INDUCTOR 82NH 5% 0805

• KPT06B20-41SF80

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 41POS W/SKT CABLE

• LMC7221AIM5X/NOPB

  線性 - 比較器    Texas Instruments    SC-74A，SOT-753    IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5

• IRF6618TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 MT    MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

• KMPC8347EVRAGDB

  嵌入式 - 微處理器    Freescale Semiconductor    620-BBGA 裸露焊盤    IC MPU POWERQUICC II 620-PBGA

• KPSE01F14-12S

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 12POS CBL MNT SKT

• K392K20C0GH53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL

• IMC0805ERR10J

  固定式    Vishay Dale    0805（2012 公制）    INDUCTOR 100NH 5% 0805

• IVS1-5Q0-00-A

  AC DC 轉換器    Emerson Network Power/Embedded Power        IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• KMPC8347EZUAGDB

  嵌入式 - 微處理器    Freescale Semiconductor    672-LBGA    IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA

• IRF6619TR1PBF

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 MX    MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

• K392K20C0GH53L2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL

• IMC0805ERR18J

  固定式    Vishay Dale    0805（2012 公制）    INDUCTOR 180NH 5% 0805

• KPT06B22-21S

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 21POS CABLE SKT

• IVS1-5Q0-1Q0-5Q0-00-A

  AC DC 轉換器    Emerson Network Power/Embedded Power        IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY