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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF7524D 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF7524D1GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-uSMD
包裝:剪切帶 (CT)

IRF7524D1GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-uSMD
包裝:Digi-Reel®

IRF7524D1GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-uSMD
包裝:帶卷 (TR)

IRF7524D1PBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro8?
包裝:管件

IRF7524D1TR詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro8?
包裝:Digi-Reel®

IRF7524D1TR詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro8?
包裝:帶卷 (TR)

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