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IRF7534D1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1066pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：管件

IRF7534D1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1066pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：管件

IRF7534D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1066pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7534D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1066pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7534D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1066pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：Digi-Reel®

PCF8570P/F5,112
存儲(chǔ)器 NXP Semiconductors 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC SRAM 2KBIT 100KHZ 8DIP
IRF7523D1
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
PB4006-E3/45
橋式整流器 Vishay General Semiconductor 4-SIP，PB DIODE 40A 600V ENH PWR BRIDGE
OPA1644AIDR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP JFET 11MHZ 14SOIC
P2103UCTP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） SIDACTOR 3CHP 170V 400A MS-013
PCC36DBAN
矩形- 接頭，公引腳 Sullins Connector Solutions 徑向，盒式 CONN HEADER 72POS .100 RT ANG DL
MP8-1N-1N-1Q-1Q-4QE-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
PCMB053T-3R3MS
固定式 Susumu 1919（4848 公制） COIL 3.3 UH POWER CHOKE 20% SMD
PCF8570T/F5,518
存儲(chǔ)器 NXP Semiconductors 8-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC SRAM 2KBIT 100KHZ 8SOIC
OPA1662AID
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP FET 22MHZ DL LN 8SOIC
P2106UCLTP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） SIDAC SYM 4CHP 170V 500A MS013
PCD-112D1M,000
功率，高于 2 安 TE Connectivity 256-BGA RELAY GEN PURPOSE SPST 15A 12V
PCF8574ADGVRE4
接口 - I/O 擴(kuò)展器 Texas Instruments 20-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC I/O EXPANDER I2C 8B 20TVSOP
MP8-1N-1N-1R-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
PCMB063T-2R2MS
固定式 Susumu 非標(biāo)準(zhǔn) COIL 2.2 UH POWER CHOKE 20% SMD

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PCC36DBAN

MP8-1N-1N-1Q-1Q-4QE-00

PCMB053T-3R3MS

PCF8570T/F5,518

OPA1662AID

P2106UCLTP

PCD-112D1M,000

PCF8574ADGVRE4

MP8-1N-1N-1R-00

PCMB063T-2R2MS

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