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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF7701TR 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IRF7701TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP
包裝：帶卷 (TR)

IRF7701TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP
包裝：Digi-Reel®

IRF7701TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP
包裝：帶卷 (TR)

IRF7701TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP
包裝：剪切帶 (CT)

IRF7701TR供應(yīng)商

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