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IRF7706詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：管件

IRF7706GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7706GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

IRF7706GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7706TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7706TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

IRF630STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
H2BBT-10108-L8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048L/H1500TR 8"
IRF7706GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
FG-BVX
配件 OKI/Metcal TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB FILTER GAS FOR BVX SYSTEM
IPI65R310CFD
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
H2MXS-2606G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26G/X
GP12MSABE(T&R)
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
H2MXS-2636G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26G/X
IRF634
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
FG-BVX
配件 OKI/Metcal TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB FILTER GAS FOR BVX SYSTEM
IPI65R600C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
H2MXS-3018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30M/X
GP12MSCKE
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
IRF640N
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
H2BBT-10108-S6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049S/H1500TR 8"

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