IRF7751詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 4.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：管件
IRF7751GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 4.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7751GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 4.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7751GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 4.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7751TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 4.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7751TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 4.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 扁平帶 3M CABLE 16COND RIBBON LT GRY 100FT
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.8V/2.8V .3A 10-DFN
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 矩形- 接頭，公引腳 Hirose Electric Co Ltd 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONNECTOR MALE R/A 40 POS
- 振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 24.0000MHZ 3.3V +-25PPM SMD
- 單二極管/齊納 Comchip Technology DO-214AA，SMB DIODE ZENER 43V 3W DO-214AA
- 功率驅動器 Fairchild Semiconductor SPM23AC IC SPM 500V 3.0A 3PH SPM23AC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 2700PF 100V 10% X7R 0402
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.8V/1.5V .3A 10-DFN
- 濕度，濕氣 Honeywell Sensing and Control 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） SENSOR CAPACITIVE HUMIDITY SIP
- 振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 24.5760MHZ 3.3V +-25PPM SMD
- 單二極管/齊納 Comchip Technology DO-214AA，SMB DIODE ZENER 47V 3W DO-214AA
- 功率驅動器 Fairchild Semiconductor SPM23ED MOD SPM 500V 2A SPM23-ED
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 3900PF 100V 10% X7R 0402
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.8V/1.8V .3A 10-DFN
0755-22655674 
0755-29275935 
