

IRF7754詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 5.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1984pF @ 6V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設(shè)備封裝:8-TSSOP
- 包裝:管件
IRF7754GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 5.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1984pF @ 6V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設(shè)備封裝:8-TSSOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7754GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 5.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1984pF @ 6V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設(shè)備封裝:8-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7754GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 5.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1984pF @ 6V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設(shè)備封裝:8-TSSOP
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7754TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 5.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1984pF @ 6V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設(shè)備封裝:8-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7754TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 5.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1984pF @ 6V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設(shè)備封裝:8-TSSOP
- 包裝:Digi-Reel®
- 網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 91K OHM 4 RES 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP DIFF 1.5MHZ DUAL 14SOIC
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT ULT FAST DIO 600V TO-220AB
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 39UH 1.19A SMD
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT W/DIODE 600V 11A TO220AB
- 線性 - 音頻處理 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DUAL AUDIO DIFF RCVR 14-SOIC
- 網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 0.0 OHM 4 RES 1206
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT ULTRA FAST 600V 28A TO220AB
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 560UH 0.3A SMD
- 線性 - 音頻處理 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DUAL AUDIO DIFF RCVR 14-SOIC
- RF 天線 Laird Technologies IAS 1206(3216 公制),凸起 ANT TUF DUCK 418MHZ 1/4W
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220AB 整包 IGBT PDP 300V 25A TO-220AB