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IRF7805A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7805APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7805ATR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7805ATRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7805ATRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7805ATRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

LMK105SD392JV-F
陶瓷 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） CAP CER 3900PF 10V 5% 0402
L-14WR33KV4E
固定式 Johanson Technology Inc 0603（1608 公制） WIREWOUND INDUCTOR 330NH 0603
ECS-8FM-283.2-TR
振蕩器 ECS Inc 4-SOJ，5.08mm 間距 OSC 28.322 MHZ 5.0V SMD
JE1XN-DC6V-H
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 6V
IRF7805APBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
LB1928-E
PMIC - 電機(jī)和風(fēng)扇控制器，驅(qū)動(dòng)器 ON Semiconductor 28-DIP (0.550", 12.70mm) 裸露焊盤 IC MOTOR DRIVER 3PHASE 28DIP
L-15C9N0JV4E
固定式 Johanson Technology Inc 0805（2012 公制） CER INDUCTOR 9NH 0805
LMK105SD392KV-F
陶瓷 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） CAP CER 3900PF 10V 10% 0402
IXBH40N160
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 BIMOSFET 1600V 33A TO-247AD
LB1930MC-AH
PMIC - 電機(jī)和風(fēng)扇控制器，驅(qū)動(dòng)器 ON Semiconductor 10-LSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC MOTOR DVR BIDIR 1CH MFP10S
JE-21
配件 Honeywell Sensing and Control LEVER ROLLER FOR LIMIT SWITCH
LP2989ILDX-3.0
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 3V .5A 8-LLP
L-15F4R7KV4E
固定式 Johanson Technology Inc 0805（2012 公制） WIREWOUND INDUCTOR 4700NH 0805
LMK105SD472JV-F
陶瓷 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） CAP CER 4700PF 10V 5% 0402
IXBOD1-20R
TVS - 其它復(fù)合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2000V

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