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IRF7807VTRPBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF7807VTRPBF詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.3A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 7A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

IRF7807VTRPBF詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.3A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 7A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

IRF7807VTRPBF詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.3A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 7A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

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