IRF7822PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF7822TRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7822TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7822TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7822TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7822TRR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 固定式 Taiyo Yuden 0201（0603 公制） INDUCTOR HI FREQ 18NH 0201
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 徑向，圓盤 RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 48V
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD
- 線性 - 視頻處理 Intersil 20-VQFN 裸露焊盤 IC ANLG VID LINE TRPL 20-QFN
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Holt Integrated Circuits Inc 16-WQFN 裸露焊盤，CSP IC ANALOG SWITCH 4 X SPST 16CSP
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC POT DGTL 128TP LN LP 20-TSSOP
- 扁平帶 3M CABLE 44COND RIBBON LT GRY 25FT
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 徑向，圓盤 RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 120V
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 72POS .100 EYELET
- PMIC - 電壓基準 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SERIES PREC SOT-23-3
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Holt Integrated Circuits Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC ANALOG SWITCH 4 X SPST 16SOIC
- 扁平帶 3M CABLE 50COND RIBBON LT GRY 300’
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC POT DGTL PB 32TP LN LP 8-SOIC
- 固定式 Taiyo Yuden 0201（0603 公制） INDUCTOR HI FREQ 1.4NH 0201
0755-88917652 
