當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引367 » 型號(hào)"IRF7828"的供應(yīng)信息

IRF7828 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRF7828PBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.6A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7828TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A SO-8

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.6A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7828TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A SO-8

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.6A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7828TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 13.6A SO-8

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.6A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 10A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

• INA216A1RSWR

  PMIC - 穩(wěn)流/電流管理    Texas Instruments    10-UFQFN    IC CURRENT SHUNT MONITOR 10UQFN

• IRKC166/12

  二極管，整流器    Vishay Semiconductors    INT-A-PAK（3）    DIODE STD REC 1200V 165A INTAPAK

• IRF7828TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 13.6A SO-8

• IRKC56/14A

  二極管，整流器    Vishay Semiconductors    ADD-A-PAK（3）    DIODE STD REC 1400V 60A ADDAPAK

• FNQ-R-9

  保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    5AG，10mm x 38.1mm    FUSE 9A 600V TLAG UL CSA

• IRF7307TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC

• IHSM5832ER222L

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR POWER 2200UH .22A SMD

• EXB-A10P331J

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    2512（6431 公制），凹陷    RES ARRAY 330 OHM 8 RES 2512

• INA216A2RSWR

  PMIC - 穩(wěn)流/電流管理    Texas Instruments    10-UFQFN    IC CURRENT SHUNT MONITOR 10UQFN

• IRKC91/16A

  二極管，整流器    Vishay Semiconductors    ADD-A-PAK（3）    DIODE STD REC 1600V 100A ADDAPAK

• IHSM5832ER270L

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR POWER 27UH 2.3A SMD

• EXB-A10P331J

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    2512（6431 公制），凹陷    RES ARRAY 330 OHM 8 RES 2512

• CRCW25121M07FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 1.07M OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRF7309PBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC

• IRKD166/04

  二極管，整流器    Vishay Semiconductors    INT-A-PAK（3）    DIODE STD REC 400V 165A INTAPAK