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IRF7832PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF7832TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7832TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7832TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7832TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7832TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 10PF 50V 5% NP0 0603
- 配件 CUI Inc TO-220-5 全封裝（成形引線） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- 扁平帶 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 275’
- 單二極管/齊納 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 12V 200MW 1005
- 振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 7.3728MHZ 3.3V +-50PPM SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 100PF 50V 2% NP0 0603
- 配件 CUI Inc TO-220-5 全封裝（成形引線） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC TXRX RS-232 5V 16-PDIP
- 扁平帶 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 275’
- 振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 10.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD
- 配件 CUI Inc TO-220-5 全封裝（成形引線） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 100PF 50V 5% NP0 0603
- 評估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 EVAL BOARD 2.8V/3.0V ISL9000JM
0755-83202411 
