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IRF7832TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRF7832TR詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7832TR詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7832TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7832TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7832TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

• GRM1885C1H100JA01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 10PF 50V 5% NP0 0603

• FSC-S5-DIN

  配件    CUI Inc    TO-220-5 全封裝（成形引線）    DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5

• HIN202CBNZ-T

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC

• IRF7832PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

• HF659/64

  扁平帶    3M        CABLE 64COND RND SHIELD GRY 275’

• CZRF52C12-HF

  單二極管/齊納    Comchip Technology    1005（2512 公制）    DIODE ZENER 12V 200MW 1005

• CWX823-007.3728M

  振蕩器    Connor-Winfield    4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC）    OSC 7.3728MHZ 3.3V +-50PPM SMD

• GRM1885C1H101GA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 100PF 50V 2% NP0 0603

• FSC-S5-DIN

  配件    CUI Inc    TO-220-5 全封裝（成形引線）    DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5

• HIN202CPZ

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    16-DIP（0.300"，7.62mm）    IC TXRX RS-232 5V 16-PDIP

• HF659/64SF

  扁平帶    3M        CABLE 64COND RND SHIELD GRY 275’

• CWX823-010.0M

  振蕩器    Connor-Winfield    4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC）    OSC 10.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD

• FSC-S5-DIN

  配件    CUI Inc    TO-220-5 全封裝（成形引線）    DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5

• GRM1885C1H101JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 100PF 50V 5% NP0 0603

• ISL9000JMEV2

  評(píng)估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO)    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤(pán)    EVAL BOARD 2.8V/3.0V ISL9000JM