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當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引540 » 型號(hào)"IRF8113TR"的供應(yīng)信息

IRF8113TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRF8113TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF8113TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF8113TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF8113TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

LMC6442IMX/NOPB
未定義的系列 Texas Instruments * IC OP AMP DUAL MICROPWR 8-SOIC
ECS-320-20-33-CKM-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） CRYSTAL 32.000 MHZ 20PF SMD
IRF8113GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
L0107DERP
三端雙向可控硅開關(guān) Littelfuse Inc TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRIAC SENS 1A 400V TO92 T/R
K224M20X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL
LP38512TSX-1.8/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA IC REG LDO 1.8V 1.5A TO263-5
ECW-F4914JL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.91UF 400VDC RADIAL
L37-3-150-150-0.5-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology 11-DIP 模塊 L37-3 SHEET 150X150X0.5MM
ECS-320-20-33-DU-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） CRYSTAL 32.000 MHZ 20PF SMD
L0107DTRP
三端雙向可控硅開關(guān) Littelfuse Inc TO-261-4，TO-261AA TRIAC SENS 1A 400V SOT223 T/R
LP3852EMP-2.5
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.5V 1.5A SOT223-5
K224M20X7RF5WH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL
ECW-F4914RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.91UF 400VDC RADIAL
L37-3-17-84-1
熱 - 墊，片 t-Global Technology 11-DIP 模塊 THERMAL PAD L37-3 17X84X1MM
ECS-320-8-30B-CKM
晶體 ECS Inc 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） CRYSTAL 32.000 MHZ 8PF SMD