IRF840L 全國供應商、價格、PDF資料

IRF840L詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF840LC詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF840LCL詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF840LCLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF840LCPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF840LCS詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

• KPSE02E16-26S

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS

• K471K10X7RH53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL

• IRF8327STRPBF

  其它    International Rectifier        MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

• KPT06E18-32SW

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT

• LM4051BEM3-ADJ/NOPB

  PMIC - 電壓基準    Texas Instruments    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3

• IXBOD1-14R

  TVS - 其它復合    IXYS    徑向    IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V

• IRF7329TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

• ECJ-3YB1E475M

  陶瓷    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 25V 20% X5R 1206

• KPSE02E16-26SA206

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS

• KPT06E18-32SY

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT

• LM4051BIM3-1.2

  PMIC - 電壓基準    Texas Instruments        IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23

• IXBOD1-14RD

  TVS - 其它復合    IXYS    徑向    IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1400V

• ECJ-3YB1E564K

  陶瓷    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    CAP CER 0.56UF 25V 10% X7R 1206

• IRF7338TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC

• K471K10X7RH5UH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL