IRF9410詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF9410PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF9410TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF9410TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF9410TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF9410TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 矩形- 接頭，公引腳 3M CONN PLUG 60POS STR .050" GOL
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
- 時鐘/計時 - 專用 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC CLK FANOUT BUFFER 1:18 32LQFP
- 單二極管/齊納 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE ZENER 500MW 3.6V SOD27
- 接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器 NXP Semiconductors 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC HOTSWAP I2C/SMBUS BUFF 8TSSOP
- 端子 - 環(huán)形 Panduit Corp 6-SMD，無引線（DFN，LCC） TERM RING HI TEMP 16-14 AWG
- 矩形 - 自由懸掛，面板安裝 3M CONN SOCKET 60POS .050" GOLD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 1206（3216 公制） RES 604K OHM 0.40W 0.1% 1206
- 單二極管/齊納 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE ZENER 3.6V 500MW DO-35
- 接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器 NXP Semiconductors 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC LEVSHFT I2C/SMBUS BUFF 8TSSOP
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Freescale Semiconductor 32-LQFP IC PECL CLOCK SYNTHESIZER 32LQFP
- FET - 單 International Rectifier TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線 SIDACTOR BI 140V 150A TO-92
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 1206（3216 公制） RES 604K OHM 0.40W 0.1% 1206
755-83241160（ 
0755-83226745 
