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IRF9530NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9530NSPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9530NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF9530NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF9530NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9530NSTRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

KT11P2SA1M35LFG
觸摸 C&K Components TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
LMC7101AYM5 TR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Micrel Inc SC-74A，SOT-753 IC OPAMP PRIME 500KHZ SOT23-5
ECS-3518-400-B-TR
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 40.00 MHZ 1.8V SMD
IRF9530
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
L04024R7BHNTR
固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR THIN FILM 4.7NH 0402
ECW-F6203RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.02UF 630VDC RADIAL
L37-5-640-320-5.0-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology L37-5 SHEET 640X320X5MM W/ADH
ECS-35-18-5G3XDS-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
LMC7101BYM5 TR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Micrel Inc SC-74A，SOT-753 IC OPAMP STD 500KHZ SOT23-5
L0402R82BHLTR
固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR THIN FILM .82NH 0402
ECW-F6204RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.2UF 630VDC RADIAL
L3PL1WH
標簽，標記 Panduit Corp LABEL LS3E WHT 1.5X1.5" 250/ROLL
ECS-35-18-5PVX
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
LMC7101QM5/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OPAMP RRIO TINY LP SOT23-5
KT11P2SA2M33
觸摸 C&K Components TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V