IRF9630 全國供應商、價格、PDF資料

IRF9630詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：74W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF9630L詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF9630PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：74W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF9630S詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF9630SPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF9630STRL詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• ECW-F6273JLB

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.027UF 630VDC RADIAL

• K271K10C0GH5UH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 270PF 100V 10% RADIAL

• L-05B2N2SV6T

  固定式    Johanson Technology Inc    0201（0603 公制）    IND CER RF 2.2NH 0201

• IRF9630PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB

• LMC7221AIM5X/NOPB

  線性 - 比較器    Texas Instruments    SC-74A，SOT-753    IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5

• ECS-3525-120-B-TR

  振蕩器    ECS Inc    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 12.00 MHZ 2.5V SMD

• KT11P4SA2M35LFG

  觸摸    C&K Components        SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V

• K271K10X7RF5TH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 270PF 50V 10% RADIAL

• ECW-F6274RJL

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.27UF 630VDC RADIAL

• LMC7221AIM5X/NOPB

  線性 - 比較器    Texas Instruments    SC-74A，SOT-753    IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5

• ECS-3525-143-B-TR

  振蕩器    ECS Inc    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 14.31818 MHZ 2.5V SMD

• L-05B2N7SV6T

  固定式    Johanson Technology Inc    0201（0603 公制）    IND CER RF 2.7NH 0201

• KT11P4SA3M33

  觸摸    C&K Components        SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V

• L4018C2R2MDWDT

  固定式    Kemet    非標準    INDUCTOR 2.2UH 20% 4018

• ECW-F6304RHL

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.3UF 630VDC RADIAL