IRF9Z34STRL 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

IRF9Z34STRL詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z34STRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z34STRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

IRF9Z34STRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

• L4949ED-E

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    STMicroelectronics    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG LDO 5V .1A 8SOIC

• ECS-360-S-30B-TR

  晶體    ECS Inc    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    CRYSTAL 36.000 MHZ SERIES SMD

• LME49720MABD

  評估板 - 運算放大器    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    BOARD EVALUATION LME49720MA

• IRF9Z24NSTRL

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

• K332J20C0GH5UL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 3300PF 100V 5% RADIAL

• KTD500B105M32A0T00

  陶瓷    United Chemi-Con    徑向    CAP CER 1UF 50V 20% RADIAL

• L4959

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型    STMicroelectronics    Multiwatt-11（垂直，彎曲和錯列引線）    IC VREG MULTI AUDIO MULTIWATT11

• ECW-F6513RJL

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL

• LME49721MA/NOPB

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC AMP AUDIO STER AB HIFI 8SOIC

• K332J20C0GK53L2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 3300PF 200V 5% RADIAL

• KTD500B105M32A0T00

  陶瓷    United Chemi-Con    徑向    CAP CER 1UF 50V 20% RADIAL

• ECW-F6514JLB

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.51UF 630VDC RADIAL

• L4969URD-E

  接口 - 專用    STMicroelectronics    20-SOIC    TXRX LOW FAULT 5V 180MA 20SOIC

• LME49722MABD

  評估板 - 運算放大器    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    BOARD EVALUATION FOR LME49722

• ECS-36-18-1X

  晶體    ECS Inc    HC49/U    CRYSTAL 3.6864 MHZ 18PF 49UA