IRFBE20 全國供應商、價格、PDF資料

IRFBE20詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V

功率_最大：54W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBE20L詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V

功率_最大：54W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRFBE20PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V

功率_最大：54W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBE20S詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V

功率_最大：54W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFBE20STRL詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V

功率_最大：54W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRFBE20STRR詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V

功率_最大：54W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CS-FM-MSR

  同軸，RF    Crystek Corporation    SOD-123T    RF CONN 2.92(K) (.085) STR PLUG

• IRFBC40STRR

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

• EXB-H5E474J

  網(wǎng)絡、陣列    Panasonic Electronic Components    5-SSIP    RES ARRAY 470K OHM 4 RES 5-SSIP

• CRCW2512240KFKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 240K OHM 1W 1% 2512 SMD

• CSFMT108-HF

  單二極管/整流器    Comchip Technology    SOD-123H    DIODE 600V 1A SOD-123H

• IKP20N60T

  IGBT - 單路    Infineon Technologies    TO-220-3    IGBT 600V 40A 166W TO220-3

• IRFBE20S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

• IRF7603TR

  FET - 單    International Rectifier    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

• CSINI800

  配件    Red Lion Controls    SOD-123H    8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD

• EXB-H5E684J

  網(wǎng)絡、陣列    Panasonic Electronic Components    5-SSIP    RES ARRAY 680K OHM 4 RES 5-SSIP

• IKU04N60R

  IGBT - 單路    Infineon Technologies    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    IGBT 600V 8A 75W TO251-3

• IRF7603TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

• CSINI800

  配件    Red Lion Controls    SOD-123H    8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD

• IRFBE30SPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

• CSINI800

  配件    Red Lion Controls    SOD-123H    8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD