

IRFBE20詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:800V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 歐姆 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:54W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRFBE20L詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:800V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 歐姆 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:54W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:I2PAK
- 包裝:管件
IRFBE20PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:800V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 歐姆 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:54W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRFBE20S詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:800V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 歐姆 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:54W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRFBE20STRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:800V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 歐姆 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:54W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFBE20STRR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:800V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 歐姆 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:54W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 同軸,RF Crystek Corporation SOD-123T RF CONN 2.92(K) (.085) STR PLUG
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 網(wǎng)絡、陣列 Panasonic Electronic Components 5-SSIP RES ARRAY 470K OHM 4 RES 5-SSIP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 240K OHM 1W 1% 2512 SMD
- 單二極管/整流器 Comchip Technology SOD-123H DIODE 600V 1A SOD-123H
- IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 40A 166W TO220-3
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
- 配件 Red Lion Controls SOD-123H 8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD
- 網(wǎng)絡、陣列 Panasonic Electronic Components 5-SSIP RES ARRAY 680K OHM 4 RES 5-SSIP
- IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA IGBT 600V 8A 75W TO251-3
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
- 配件 Red Lion Controls SOD-123H 8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
- 配件 Red Lion Controls SOD-123H 8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD