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IRFBF20詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFBF20L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRFBF20LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRFBF20PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFBF20S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFBF20SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

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FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
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