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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRFBF30 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRFBF30詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 歐姆 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
功率_最大:125W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRFBF30L詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 歐姆 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
功率_最大:125W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:I2PAK
包裝:管件

IRFBF30PBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 歐姆 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
功率_最大:125W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRFBF30S詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 歐姆 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
功率_最大:125W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRFBF30SPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 歐姆 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
功率_最大:125W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRFBF30STRL詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 歐姆 @ 2.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
功率_最大:125W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

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