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IRFD9014 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFD9014詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.1A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 660mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包裝:管件

IRFD9014PBF詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.1A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 660mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包裝:管件

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