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IRFH5220TRPBF 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRFH5220TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：99.9 毫歐 @ 5.8A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 100µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 50V

功率_最大：3.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-VQFN 裸露焊盤

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PQFN（5x6）

包裝：帶卷 (TR)

• FBA04VA450BB-00

  鐵氧體磁珠和芯片    Taiyo Yuden    軸向    FERRITE BEAD 45 OHMS AXIAL LEAD

• CRCW251224R9FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 24.9 OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRFH5206TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-PowerVQFN    MOSFET N-CH 60V 87A 8-PQFN

• CSKO362410

  箱    Hammond Manufacturing        BOX STEEL 36X24X10" GREY

• IRFH5220TR2PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-VQFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

• IDCS5020ER330M

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 33UH 1.1A SMD

• EXB-N8V152JX

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 1.5K OHM 4 RES 0804

• CSKO443

  箱    Hammond Manufacturing        BOX STEEL 4X4X3" GREY

• FBA04VA450RS-00

  鐵氧體磁珠和芯片    Taiyo Yuden    軸向    FERRITE BEAD 45 OHMS AXIAL LEAD

• CSKO886

  箱    Hammond Manufacturing        BOX STEEL 8X8X6" GREY

• IRFH5255TR2PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-VQFN    MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN

• CRCW2512255RFKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 255 OHM 1W 1% 2512 SMD

• IDCS5020ER390M

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 39UH SMD

• FBA04VA600NA-00

  鐵氧體磁珠和芯片    Taiyo Yuden    軸向    FERRITE BEAD 60 OHMS AXIAL LEAD

• EXB-N8V153JX

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 15K OHM 4 RES 0804