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IRFH6200TRPBF 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

IRFH6200TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 100A 8-PQFN

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：45A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 毫歐 @ 50A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 150µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：10890pF @ 10V

功率_最大：3.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVQFN

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PQFN（5x6）

包裝：帶卷 (TR)

• JR4R3-CL1-4F

  RF配件    Digi International        CONN 4’ RPSMA-MALE TO RPSMA FEM

• LD06YC564KAB2A

  陶瓷    AVX Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 0.56UF 16V 10% X7R 1206

• IRFH6200TR2PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-PowerVQFN    MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

• LD035A121JAB2A

  陶瓷    AVX Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 120PF 50V 5% NP0 0603

• LD035A102FAB2A

  陶瓷    AVX Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 1000PF 50V 1% NP0 0603

• L60030C1C

  保險(xiǎn)絲座    Littelfuse Inc    32-LQFP    FUSE BLOCK CC 1POLE 600V 30A

• JVN1AF-18V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works        RELAY GEN PURPOSE SPST 16A 18V

• IS43DR16640A-25DBLI

  存儲器    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc    84-TFBGA    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84TWBGA

• LD06ZC225KAB2A

  陶瓷    AVX Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 1206

• L60030C1PQDINR

  保險(xiǎn)絲座    Littelfuse Inc    32-LQFP    FUSEBLOCK 30A 600V 1POLE DIN

• LD035A102GAB2A

  陶瓷    AVX Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 1000PF 50V 2% NP0 0603

• JVN1AF-5V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works        RELAY GEN PURPOSE SPST 16A 5V

• IRFH7914TR2PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-PowerVQFN    MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56

• IS43DR81280A-3DBLI

  存儲器    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc    60-TFBGA    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60TWBGA

• LD06ZC684KAB2A

  陶瓷    AVX Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 0.68UF 10V 10% X7R 1206