IRFIZ48 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRFIZ48G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：37A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 22A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220-3

包裝：管件

IRFIZ48GPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：37A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 22A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220-3

包裝：管件

IRFIZ48N詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 22A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V

功率_最大：42W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB 整包

包裝：管件

IRFIZ48NPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 22A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V

功率_最大：54W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB 整包

包裝：管件

IRFIZ48VPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 43A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1985pF @ 25V

功率_最大：43W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB 整包

包裝：管件

• FBMOV510M

  TVS - 變阻器，MOV    Littelfuse Inc    -    VARISTOR 40KA THRML PRTCD 510V

• CRCW25122K00FKEGHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.00K OHM 1.5W 1% 2512 SMD

• EXB-N8V391JX

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 390 OHM 4 RES 0804

• CSNL2512FT4L00

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    2512（6432 公制）    RES .004 OHM 2W 1% 2512 SMD

• IRFIZ48NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-220-3 整包    MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP

• IDSD-10-D-10.00

  矩形    Samtec Inc    TO-220-2    CABLE ASSEM 20POS

• CSNL2512FT5L00

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    2512（6432 公制）    RES .005 OHM 2W 1% 2512 SMD

• FBMOV750M

  TVS - 變阻器，MOV    Littelfuse Inc    -    VARISTOR 40KA THRML PRTCD 750V

• CRCW25122K05FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.05K OHM 1W 1% 2512 SMD

• CSNL2512FT5L00

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    2512（6432 公制）    RES .005 OHM 2W 1% 2512 SMD

• IRFL014TRPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

• IDSR.200T

  保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制    Littelfuse Inc    圓柱形，報(bào)警指示    FUSE IND T-DELAY .200A 600VAC/DC

• FBO16-12N

  橋式整流器    IXYS    i4-Pac?-5    DIODE BRIDGE 1PHASE I4-PAC-5

• CSNL281-007

  電流    Honeywell Sensing and Control        CLOSED LOOP CURR SENSOR MEASURES

• EXB-N8V394JX

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    0804（2010 公制），凹陷    RES ARRAY 390K OHM 4 RES 0804