IRFL014詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223
- 包裝：管件
IRFL014NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223
- 包裝：管件
IRFL014NTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223
- 包裝：Digi-Reel®
IRFL014NTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFL014NTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRFL014PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223
- 包裝：管件
- 固定式 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） INDUCTOR HIFREQ 15NH+/-.1 0402
- PMIC - 電源管理 - 專用 International Rectifier 16-MLPQ IC XPHASE3 CONTROLLER 16-MLPQ
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 470PF 3KV 10% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR PHOTO
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP RR 1.2MHZ DUAL 8SOIC
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DVR HALF BRIDGE 14-DIP
- 固定式 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） INDUCTOR HIFREQ 22NH+/-.1 0402
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil * IC PWM CTRLR SYNC BUCK DL 48QFN
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR PHOTO FIBER OPTIC W/AMP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 徑向，圓盤 CONN EDGECARD 4POS DIP .156 SLD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP RR 1.2MHZ DUAL 8SOIC
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DVR HALF BRIDGE 14-SOIC
- 固定式 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） INDUCTOR HIFREQ 2.7+/-0.3NH 0402
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC PWM CTRLR SYNC BUCK DL 48QFN
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