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IRFP250詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD; 系列：-; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2970pF @ 25V; 功率_最大：190W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247AD; 包裝：管件

IRFP250詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 33A TO-247; 系列：PowerMESH™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：158nc @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2850pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP250MPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2159pF @ 25V; 功率_最大：214W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247AC; 包裝：管件

IRFP250NPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2159pF @ 25V; 功率_最大：214W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247AC; 包裝：散裝

IRFP250PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 25V; 功率_最大：190W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP254詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V; 功率_最大：190W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP250MPBF
FET - 單 International Rectifier TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
ISC1210ERR82J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 820NH 5% 1210
JWM21RAA/UC
搖臂 NKK Switches SWITCH ROCKER DPST 10A 125V
LD051A331JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 330PF 100V 5% NP0 0805
K683M15X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.068UF 50V 20% RADIAL
LD13CA103KAB1A
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 10000PF 630V NP0 1825
JS-6
配件 Honeywell Sensing and Control 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） LEVER SPRNG LEAF FOR LIMT SWITCH
L6385ED013TR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC
JWM22RBB
搖臂 NKK Switches SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
K683M15X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.068UF 50V 20% RADIAL
LD051A3R3BAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 3.3PF 100V NP0 0805
JS-6
配件 Honeywell Sensing and Control 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） LEVER SPRNG LEAF FOR LIMT SWITCH
LD13CC103KAB1A
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 10000PF 630V X7R 1825
L6386ED013TR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) STMicroelectronics 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-SOIC
JWMW11RCA
搖臂 NKK Switches SWITCH ROCKER SPST 10A 125V

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