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IRFR010詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR010PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR010TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR010TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR010TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR010TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRDC3073
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) International Rectifier PWM CONTROLLER DESIGN KIT
IRF7301PBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
IMC1812RQ2R7J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
DTS26F17-35HN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 55POS STRGHT W/PINS
IRFPS29N60LPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-274AA MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
IP-DC-SA
配件 Microsemi SoC TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 HARDWARE IP DAUGHTER CARD
E32-T121F 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER FLEXIBLE 2M
IRDC3073
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) International Rectifier PWM CONTROLLER DESIGN KIT
DTS24F17-26AE
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 26POS PIN
IP-DC-SA
配件 Microsemi SoC TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 HARDWARE IP DAUGHTER CARD
DTS26F17-35JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 55POS STRGHT W/SKT
IMC1812RQ330J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 33UH 5% 1812
IRDC3622D
評(píng)估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS International Rectifier BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUT
E32-T121F 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER FLEXIBLE 2M
IRF7306TR
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

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