

IRFR010詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 4.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR010PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 4.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR010TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 4.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR010TRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 4.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR010TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 4.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR010TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 4.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 過時/停產(chǎn)零件編號 International Rectifier PWM CONTROLLER DESIGN KIT
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 55POS STRGHT W/PINS
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-274AA MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
- 配件 Microsemi SoC TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 HARDWARE IP DAUGHTER CARD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER FLEXIBLE 2M
- 過時/停產(chǎn)零件編號 International Rectifier PWM CONTROLLER DESIGN KIT
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 26POS PIN
- 配件 Microsemi SoC TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 HARDWARE IP DAUGHTER CARD
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 55POS STRGHT W/SKT
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 33UH 5% 1812
- 評估板 - DC/DC 與 AC/DC(離線)SMPS International Rectifier BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER FLEXIBLE 2M
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC