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IRFR024TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR024TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR024TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR024TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR024TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR024TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

OSTYK33521030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 8.25MM
PBLS4003V,115
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT666
P1168.564NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR PWR SHIELD 560UH SMD
IRFR024NTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
OSTVE083250
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 8POS 3.81MM
OSTHX042181
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK SPRING 3.50MM 4POS
NX5032GB-16MHZ-STD-CSK-5
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
P4SMA150
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 150V UNI 10% SMD
PBLS4004D,115
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 NXP Semiconductors SC-74，SOT-457 LOADSWITCH PNP 40V 1A 6TSOP
P1169.154NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR PWR SHIELD 150UH SMD
OSTVE093150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 9POS 3.81MM
OSTHX060080
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK SPRING 5.00MM 6POS
NX5032GC-12MHZ-STD-CSK-6
晶體 NDK 4-SMD CRYSTAL 12.000 MHZ 8 PF SMD
P4SMA150AHE3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 300W 150V 5% UNIDIR SMA
OSTYK40106030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 6CIRC 8.25MM

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