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IRFR1010Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR1010ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR1010ZTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1010ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1010ZTRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1018EPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 79A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：79A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 47A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2290pF @ 50V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IL-312-100PB-VF-A1
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 JAE Electronics 8-DIP（0.300"，7.62mm） CONN HEADER 100POS 0.5MM SMD
IRFR024TRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IMC1210EB680J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 68UH 5% 1210
IXTV30N50PS
FET - 單 IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
KPT00E8-3SDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS WALL MNT SKT
ECQ-E2125JB3
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1.2UF 250VDC RADIAL
KPSE07A22-55P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
IL-312-20PB-VF30-A1
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 JAE Electronics 8-DIP（0.300"，7.62mm） CONN HEADER 20POS 0.5MM SMD
JV-7
配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH LONG LEVER
KPT00E8-4S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 4POS WALL MNT SKT
KPSE07A22-55S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SKTS
ECQ-E2125KB3
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1.2UF 250VDC RADIAL
IXTV30N60PS
FET - 單 IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
IMC1210EB82NJ
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 82NH 5% 1210
IL-312-80P-VF30-A1-E3500
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 JAE Electronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） CONN HEADER PIN 80POS 0.5MM SMD

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