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IRFR1205TRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1205TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1205TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1205TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR1205TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR1205TRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

LCM600U-4
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power POWER SUPPLY FRONT END 36V 600W
K330J10C0GH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 33PF 100V 5% RADIAL
K390J10C0GF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 39PF 50V 5% RADIAL
ECS-2033-080-AU
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 8.000 MHZ 3.3V SMD
IRFR1205TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
JM1AN-P-DC12V-F
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 圓柱形，扁平端子（螺栓） RELAY GEN PURPOSE SPST 20A 12V
LBBMB8SM
RF配件 Laird Technologies IAS 8-SMD（0.300"，7.62mm） ACCY MIRROR MNT 3/4 58A SMAM
K330J10C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 33PF 100V 5% RADIAL
K470K15C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
ECS-2033-080-BN
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 8.000 MHZ 3.3V SMD
JM1AN-P-DC24V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 圓柱形，扁平端子（螺栓） RELAY GEN PURPOSE SPST 20A 24V
K390J10C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 39PF 50V 5% RADIAL
LBBMB8U
RF配件 Laird Technologies IAS 8-SMD（0.300"，7.62mm） ACCY MIRROR MNT 3/4 58U
K330J15C0GF53K2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 33PF 50V 5% RADIAL
LCM-S01601DTR
顯示器模塊 - LCD，OLED 字符和數(shù)字 Lumex Opto/Components Inc LCD MODULE 16X1 CHARACTER

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