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IRFR13N20DCPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR13N20DCTRLP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR13N20DCTRRP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR13N20DPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR13N20DTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR13N20DTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

JW050A
DC DC Converters GE 9-DIP 模塊 CONVERTER DC/DC 5V 50W OUT
IMC1210ER1R2J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1210
IRFR130ATM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
IL-312-A80S-VFH05-A1
板對(duì)板 - 陣列，邊緣類型，包廂 JAE Electronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） CONN RCPT 80POS 0.5MM SMD
KPT00F16-26PA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS W/PIN WALL
IXTY1R4N120P
FET - 單 IXYS TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
KPSE07E12-10SA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT W/SKTS
ECQ-E2154JFW
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL
IMC1210ER1R2K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 1.2UH 10% 1210
IL3422-3E
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 NVE Corp/Isolation Products 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TXRX ISO BUS 20MBPS RS422 16SOIC
KPT00F16-8SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 8POS WALL MNT SKT
IXTY64N055T
FET - 單 IXYS TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
ECQ-E2154KBB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL
KPSE07E12-10SA206F0
圓形 - 外殼 ITT Cannon 10 SOCKET CONTACT CONNECTOR
JW060ACL
DC DC Converters GE 8-DIP 模塊 CONV DC/DC +5/+-15V 60W OUT