IRFR13N20DTR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR13N20DTR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR13N20DTRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR13N20DTRLP詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR13N20DTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
IRFR13N20DTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR13N20DTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
- FET - 單 Vishay Siliconix 4-DIP（0.300"，7.62mm） MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
- 固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR HI-Q 1.3NH 0402 SMD
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL 2SCR 600V 40A ADD-A-PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REMOTE CONTROL PROGRAMMER
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG LDO 1.8V .8A 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP CHOPPR RR .4MHZ 14SOIC
- FET - 單 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
- 固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR HI-Q 1.6NH 0402 SMD
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div OPTICAL COMMUNICATION HEAD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC OPAMP CHOPPR RR .4MHZ 14TSSOP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA IC REG LDO 1.8V .8A SOT-223
- FET - 單 International Rectifier 8-VQFN MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
- 固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR HI-Q 1.8NH 0402 SMD
0755-82561519 
