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IRFR2905ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR2905ZTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR2905ZTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR2905ZTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR2905ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR2905ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 36A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

HFBR-4402Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
ISL88013IH546Z-TK
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
IXFP10N60P
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
IRFR24N15DTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
FVXO-LC52B-148.5
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 148.5 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C1361C-133AJXCT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100LQFP
HLMP-AL90-RSYZZ
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM ALINGAP2 AMBER 30X70DEG
IRF3709ZL
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
IXFQ28N60P3
FET - 單 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
ISL88015EVAL1Z
評估演示板和套件 Intersil SC-74A，SOT-753 BOARD EVALUATION FOR ISL88015
FVXO-LC52B-311
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 311 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C136-25NXCT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 52-QFP IC SRAM 16KBIT 25NS 52QFP
HLMP-AM64-140DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED OVAL 5MM 525NM INGAN GREEN
IRF3709ZSTRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
HFBR-4411Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST

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