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IRFR320TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR320TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR320TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR320TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR320TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR320TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

LCMXO2-1200HC-4TG144I
嵌入式 - CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 144-LQFP IC PLD 1280LUTS 108I/O 144TQFP
K471K10X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
IRFR320
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
K822K15X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 8200PF 100V 10% RADIAL
JMK105BJ224MV-F
陶瓷 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） CAP CER 0.22UF 6.3V 20% X5R 0402
K391J15C0GK5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 390PF 200V 5% RADIAL
K331K10C0GF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
LBC3225T330KR
固定式 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） INDUCTOR WOUND 33UH 300MA 1210
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
嵌入式 - CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 132-LFBGA，CSPBGA IC PLC 1280LUTS 105I/O 132-CSBGA
K822K15X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 8200PF 100V 10% RADIAL
JMK107B7105KA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 6.3V 10% X7R 0603
K391J15C0GL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 390PF 500V 5% RADIAL
LBC3225T3R3MR
固定式 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） INDUCTOR WOUND 3.3UH 820MA 1210
K331K10C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
LCMXO2-1200HC-5TG144CR1
嵌入式 - CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 144-LQFP IC PLC 1280LUTS 108I/O 144-TQFP

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