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IRFR3706TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3706TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3706TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3706TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3706TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3706TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

K471K20C0GL5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 500V 10% RADIAL
K331K15C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
LBM2016T3R3J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 3.3UH 290MA 0806
JMK212BJ226KG-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 22UF 6.3V 10% X5R 0805
K471M10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 50V 20% RADIAL
IRFR3518TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
K331K15C0GH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
LBM2016T4R7J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 4.7UH 270MA 0806
JMK212BJ226MD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 22UF 6.3V 20% X5R 0805
K331K15C0GH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
JMK212BJ475MD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 6.3V 20% X5R 0805
K471M15X7RF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 50V 20% RADIAL
K822M20X7RL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 8200PF 500V 20% RADIAL
JMK212BJ475MD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 6.3V 20% X5R 0805
IRFR3707ZCTRLP
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

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