IRFR3707Z詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 15V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR3707ZCTRLP詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 15V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR3707ZPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 15V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR3707ZTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 15V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR3707ZTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 15V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
IRFR3707ZTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1150pF @ 15V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 128K 64-LQFP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 200V X7R RADIAL
- 按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- 數(shù)字隔離器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） ISOLAT DGTL 3KVRMS 3CH 16-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 128KB 64LQFP
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16TSSOP
- 按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 200V X7R RADIAL
- 數(shù)字隔離器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DGTL ISOLATOR QUAD 16-SOIC
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 108-LFBGA IC ARM CORTEX MCU 128KB 108NFBGA
- FET - 單 Vishay Siliconix 4-DIP（0.300"，7.62mm） MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
13510131896 
0755-83226745 
