IRFR3711TR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR3711TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR3711TRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR3711TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR3711TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR3711TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRFR3711TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 12V 5.8A SOT-223
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 NXP Semiconductors 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CMOS RTC/CALENDAR 14-TSSOP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線 SIDACTOR BI 120V 400A TO-92
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 20POS
- 振蕩器 NDK - OSCILLATOR XO 32.768KHZ 3.3V SMD
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 400W 91V 5% UNIDIR SMA
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 13CIRC 9.50MM
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 12V 5.3A SOT89
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線 SIDAC MC BI 120V 400A TO-92
- 振蕩器 NDK 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 44.000000 MHZ 3V SMD
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 400W 91V 5% BIDIR SMA
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 20POS
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors SC-74，SOT-457 TRANS NPN 40V 4A LOW SAT 6TSOP
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 16CIRC 9.50MM
0755-88917652 
