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IRFR3711ZTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3711ZTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3711ZTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3711ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR3711ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3711ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

LBM2016TR27J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 0.27UH 5% 0806
JMK316BJ226KL-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 22UF 6.3V 10% X5R 1206
K391K10X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 390PF 100V X7R RADIAL
KA11B1CBE
按鈕 C&K Components SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
IRFR3711ZPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
IPU135N08N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
LBM2016TR56J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 0.56UH 5% 0806
K472K10X7RF5WH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 50V X7R RADIAL
K391K15C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 390PF 50V 10% RADIAL
KA11R1CBE2
按鈕 C&K Components SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
LBM2016TR82J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 0.82UH 5% 0806
IPUSB1CS
USB PHIHONG USA TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB CABLE USB A TO MINI-B 1.5M
K472K10X7RH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
KA1458
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP DUAL GEN PURPOSE 8-DIP
JMK316BJ226MD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 22UF 6.3V 20% X5R 1206

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