

IRFR9020詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR9020PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
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- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR9020TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
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- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9020TRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9020TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
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- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9020TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:50V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅(qū)動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC CLK BUFFER 1:5 80MHZ 20-SOIC
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil LENS LR1 D=21.56 MM
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSCILLATOR 40.000MHZ 3.3V SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 振蕩器 Fox Electronics - OSC 50 MHZ 1.8V HCMOS SMD
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 20POS PANEL MNT W/SCKT
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil LENS FOR LUXEON REBEL
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅(qū)動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSCILLATOR 40.000MHZ 3.3V SMD
- 電源輸入 - 模塊 Curtis Industries 4-SMD,無引線(DFN,LCC) POWER ENTRY DUAL FUSED 6A PIN
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 20POS PANEL MNT W/SCKT
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSCILLATOR 44.000MHZ 3.3V SMD
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil LENS FOR LUXEON REBEL
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅(qū)動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC CLK BUFFER 1:5 80MHZ 20-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK