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IRFR9120TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9120TRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9120TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR9120TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9120TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR9120TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

CSX325T19.200M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
CSX325T19.200M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
IRFR9120NTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
GTC030-28-22S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT
F331K29Y5RP63K5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
FCN1206A122J
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
CSX325T26.000M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 26.000MHZ 3.0V SMD
IRFR9120PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
IDT49FCT806ASOG8
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅(qū)動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
F331K29Y5RP6UK5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
GTC030-28-51S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS PANEL MNT W/SCKT
FCN1206A122J-H2
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
CSX532T16.800M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 16.800MHZ 3.0V SMD
IRFR9210TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IDT49FCT806SO
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅(qū)動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC