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IRFRC20TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFRC20TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFRC20TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFRC20TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFRC20TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFRC20TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRF8707PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
P50-100P-SR1-TG
板對(duì)板 - 陣列，邊緣類型，包廂 3M 6-SMD，無(wú)引線 CONN PLUG 100POS R/A .050" GOL
OSTVJ136151
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 13POS
NZQA6V8AXV5T3G
TVS - 二極管 ON Semiconductor SOT-553 IC TVS ARRAY QUAD ESD SOT-553
PCA9306DCTT
邏輯 - 變換器 Texas Instruments 7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 寬） IC VOLT-LEVEL XLATRATOR 8-SM8
OSTYK51018330
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 18CIRC 9.50MM
P-140ASL3X2
電池組 Panasonic - BSG DO-214AA，SMB BATTERY PACK 7.2V 1400 MAH NICAD
IRF8714TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
P50-100SG-SR1-EA
板對(duì)板 - 陣列，邊緣類型，包廂 3M 6-SMD，無(wú)引線 CONN SOCKT 100POS R/A .050" GOLD
PCA9306DCURE4
邏輯 - 變換器 Texas Instruments 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 寬） IC VOLT-LEVEL XLATRATOR 8-US8
OSTYK51024330
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 24CIRC 9.50MM
IRF8721GPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
P14-10F-L
端子 - 鏟形 Panduit Corp DO-214AA，SMB TERM FORK NON INS 16-14AWG
OSTVJ146155
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 14POS
P50-120P-R1-EA
板對(duì)板 - 陣列，邊緣類型，包廂 3M 鈕扣電池 CONN PLUG 120POS STR .050" GLD

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