IRFS52N15D 全國供應商、價格、PDF資料

IRFS52N15DPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：51A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 36A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFS52N15DTRLP詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 36A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRFS52N15DTRLP詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 36A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

IRFS52N15DTRLP詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 36A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

IRFS52N15DTRRP詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 36A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2770pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• H4BXT-10102-S1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3047S/X 2"

• H48-6G-320-320-0.5-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 320X320X0.5MM W/ADH

• IRFS52N15DPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

• ISL6884IAZ

  PMIC - 顯示器驅動器    Intersil    20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）    IC CTRLR CCFL BRIGHTNESS 20-SSOP

• H48-6G-320-320-2.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 320X320X2MM W/ADH

• IRSF3010

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內(nèi)部開關    International Rectifier    TO-220-3    IC FET SMART SW 50V 11A TO-220AB

• GRM0335C1E1R1CA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 1.1PF 25V NP0 0201

• H6MMS-2036G

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDM20S/AE20G/HDM20S

• H4BXT-10102-S8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3048S/X 2"

• ISL76627ABZ-T

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OP AMP 10MHZ LN 8SOIC

• H48-6G-640-320-3.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 640X320X3MM

• IRSLIDER2EK

  評估板 - 傳感器    Silicon Laboratories Inc    TO-261-4，TO-261AA    BOARD EVAL IR SLIDER SI1142

• GRM0335C1E1R1CA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 1.1PF 25V NP0 0201

• H6MMS-2636M

  矩形    Assmann WSW Components        DIP CABLE - HDM26S/AE26M/HDM26S

• H4BXT-10103-A8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H9992TR/A3048A/X 3"